单片机与DSP中的瑞萨开发出具有45nm及以上工艺的微处理器和SoC器件

瑞萨科技布,开发出一种具有45 nm(纳米)及以上工艺的微处理器和SoC(系统级芯片)器件、低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构(在2006年12月以前发布的一种先进技术)改善了CMIS(注1)晶体管的性能。瑞萨已经在2007年6月12日于日本京都举行的2007年超大规模集成电路技术专题研讨会(2007 Symposium on VLSI Technology)上阐述了这一新的、增强的混合结构,并演示了测试数据。 像以前的技术一样,新的半导体制造技术有一个采用氮化钛(TiN)金属栅极的P型晶体管,以及一个采用传统多晶硅栅极的N型晶体管。不过,新的P型晶体管采