以DLC接口及钻铜基材制造大功率的垂直LED 上传者：所欲_随心 2020-12-02 03:41:06上传 PDF文件 1.15MB 热度 20次 垂直LED的制作必需把GaN半导体软銲在低膨胀率的基材上,但偏偏低膨胀率的材料(如矽或GuW)其散热不佳,而高导热材料的热膨胀却远大于GaN(约5.5ppm/mK),因此LED专家找不到理想的衔接材料。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
