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以DLC接口及钻铜基材制造大功率的垂直LED

上传者: 2020-12-02 03:41:06上传 PDF文件 1.15MB 热度 2次
垂直LED的制作必需把GaN半导体软銲在低膨胀率的基材上,但偏偏低膨胀率的材料(如矽或GuW)其散热不佳,而高导热材料的热膨胀却远大于GaN(约5.5ppm/mK),因此LED专家找不到理想的衔接材料。
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