STS发布针对IC量产开发的12英寸DRIE电浆源
电子设备制造商Surface Technology Systems (STS)公司宣布,将开发一种新的深反应离子蚀刻(DRIE)电浆源,该系统将与大量制造IC时所使用的12英寸晶圆有高度兼容性。 DRIE加工法是由德商Robert Bosch GmbH所发明、STS所开发的一项重要硅基微细加工技术,该加工法在MEMS的制造过程中已有长达十年的历史。随着电路的越渐复杂及装置速度的提升,产业需求逐渐倾向于将细薄的芯片采用堆栈方式,而非将所有的功能组件都整合于一颗平面的系统单芯片(SoC)中。 当堆栈芯片的数量逐渐增加以及输出入(I/O)数增加时,焊线法就变得越来越复杂以及昂
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