Vishay发布新型MOSFET IGBT驱动器VO3150

Vishay正在向其光电子产品系列中添加一款 0.5A MOSFET/IGBT 驱动器,该器件的最大低电平输出电压为 1.0V,因此无需使用负栅极驱动器。在一个封装中结合了高速光耦合器与 IGBT/MOSFET 驱动器的隔离式解决方案 - 新型 VO3150 - 在工业及消费类应用中非常适用于额定电压及电流分别高达为 1200V 及 50A 直接驱动的 IGBT。 采用 8 引脚 DIP 封装的 VO3150可节省终端产品中的板面空间,这些产品包括不间断电源、交流及无刷直流电动机驱动、工业逆变器、开关模式电源,以及等离子显示器面板。 该VO3150的高输出电压与正电源电压紧密匹配,因此