瑞萨科技向EMT授权无电容器双晶体管RAM

全球领先的微控制器厂商瑞萨科技公司与全球领先的嵌入式存储器知识产权厂商Emerging Memory Technologies日前宣布,瑞萨已将无电容器双的晶体管RAM技术授权给EMT。EMT将开发并将基于TTRAM技术的存储器知识产权扩展到新兴的硅绝缘体CMOS市场。瑞萨作为主流嵌入式SOI存储器知识产权技术的TTRAM技术也将得到扩展。 瑞萨的TTRAM技术可在标准SOI-CMOS技术条件下实现动态的存储单元结构。这个存储单元仅由两个串行连接的晶体管组成,而且无需使用传统存储单元中的金属绝缘层金属电容器。它也无需采用用于电容器特殊掩模组的派生CMOS工艺,而且可以简化片上参考电压源。