电源技术中的飞兆高压MOSFET面向PFC电路及AC/DC电源设计

飞兆半导体公司推出8款新型高压SuperFET MOSFET器件,专为高效的高压、快速电能转换应用而设计,例如,有源功率因数校正(PFC)、照明电子和AC/DC电源系统等。 SuperFET技术通过降低RDS(ON)和栅极电荷(Qg)来减小导通损耗及开关损耗。这项技术可降低电压和电流的瞬态转换速度(di/dt、dv/dt),确保器件能在更高频率下可靠地运行。新的SuperFET系列也具有很高的额定重复性雪崩特性,比同类方案高出一个数量级。栅-源电压最高额定值为±30V (比竞争器件高50%),使得SuperFET器件具备更高的耐用性,在高压应用时更加可靠。 SuperFET技术提供的高