基础电子中的光敏晶体管的主要参数

1)暗电流ID,无光照射时,光敏晶体管发射极E与集电极C之间的漏电流(流过集电极的反向电流)此值越小越好。 2)光电流IL,当管子受到光照射时,光敏晶体管的集电极电流,此值越大说明光敏晶体管的灵敏度越高。 3)响应时间,光敏晶体管对人射光信号的反应速度,一般为10的负三次方--10的负七次方。 4)最高工作电压U(CEO),无光照射时,集电极电流为规定值时,集电极与发射极司允许加的最高电压值。