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元器件应用中的InSb磁敏电阻器的B一R特性曲线

上传者: 2020-11-26 17:06:01上传 PDF文件 61.41KB 热度 7次
磁敏电阻器的B一R特性,由无磁场时的电阻值Ro和磁感应强度为B时的RB来表示。Ro随元件的形状不同而异,为数十欧至数千欧。的随磁感应强度的变化而变化。图给出了InSb磁敏电阻器的B一R特性曲线。 图:InSh磁敏电阻器的B一R特性曲线
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