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元器件应用中的半导体三极管的一般选用原则

上传者: 2020-11-26 16:42:11上传 PDF文件 54.86KB 热度 8次
半导体三极管的一般选用原则有: (1)当三极管使用的环境温度高于30°C记时,耗散功率PCM应降额使用。 (2)三极管应尽量远离发热元件,以保证三极管能稳定正常地工作。 (3)当三极管的耗散功率大于5W时,应给三极管加装散热板或散热器,以减少温度对三极管参数变化的影响。 (4)在三极管的参数中,有一些参数容易受温度的影响如ICEO、UBEO和β值。其中IcEo和UBEO随温度变化而变化的情况如下: 1温度每升高6°C,硅管的ICEO将增加一倍; 2温度每升高l0°C,锗管的ICEO将增加一倍; 3硅管UBEO随温度的变化量约为1·7mV/°C。 (5)为
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