基础电子中的快恢复二极管

快恢复二极管的结构与普通二极管不同,它不是一个单一的PN结,而是在P型与N型硅材料中间增加了一个基区I,构成PIN硅层。这种结构的二极管,由于基区很薄、反向恢复电荷很少、故使该种管子的反向恢复时间大为减小,其值一般为几百纳秒以下。同时使它的正向压降较低,而使反向峰值电压得到提高,其值可达几干伏。 快恢复二极管(FRD)的优点是反向恢复时间短、开关特性好、体积小。广泛用于脉宽调制器、不剐断电源、开关电源、变频调速器等电路中,作为高频大电流整流、续流二极管应用。 快恢复二极管的内部结构和外形如图所示。其内部结构可分为单管和对管两种,在对管内部有两只快恢复二极管,由于这两只管子的接法不同,又可分