元器件应用中的双向触发二极管的结构与特性

双向触发二极管由硅NPN三层结构组成,它是一个具有对称性的半导体二极管器件,可等效为基极开路、集电极与发射极对称的NPN半导体三极管,如图一所示。 双向触发二极管的伏安特性曲线如图二所示,其正向和反向具有相同负阻特性。当双向触发二极管两端所加电压V低于正向转折电压VBO时,器件呈高阻状态。当外加电压升高到VBO时,器件击穿导通,由高阻转为低阻进人负阻区。同样,当所加电压大于反向转折电压-UBO时,器件也会击穿导通迸人负阻区。有时又把转折电压称为穿通电压或击穿电压。转折电压的对称性用正负转折电压的绝对值之差表示。特性曲线中的△V为动态回转电压,IB为漏电流,IBO为转折电流,IF为正向电流