元器件应用中的快恢复整流二极管的结构特点及特性

快恢复整流二极管是近期问世的新型半导体器件,它的内部结构与普通二极管不同,它在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P一tI一N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,使反向恢复时间大大减少。除此之外,还降低了瞬态正向压降,使二极管能承受很高的反向电压。 反向恢复时间门是快恢复二极管的重要参数,它是指电流通过零点由正向转换成反向,再从反向转换到规定低值的时间间隔,如图一所示。 图一 反向恢复电流波形 图中IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流。Irr是反向恢复电流.通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>to时,由于整流器件上 的正向电压突然变