元器件应用中的利用自旋电子学技术实现待机时零耗电的集成电路

日本东北大学电气通信研究所与日立制作所利用自旋电子学技术和硅技术,试制成功了运算功能和非易失性内存功能一体化的集成电路。在嵌入MOS晶体管的硅芯片上,通过层叠基于自旋电子学技术的元件之一的磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junction,MTJ)元件而实现。除能够实现硅芯片上运算区域与内存区域之间数据的高速传送之外,还可实现集成电路的小型化。 另外,如果使用了MTJ元件,就可以实现非易失性内存,因此无需为保持存储数据而一直通电,这样就可将CPU待机状态时耗电量减至零。集成电路的制作过程中,日立制作所负责制作硅芯片上的MOS晶体管,东北大学电气通信研究所负责层叠MTJ元件。