模拟技术中的中国穷学生发明新晶体管技术

美国伦斯勒理工学院中国博士生Weixiao Huang发明了一种新的晶体管技术,有望取代高功率和高温电导特性的硅晶体管,目前已经引起了美国和日本一些大汽车公司的注意。 Huang出身低微,是中国乡下一位农民的儿子,2001年毕业于北京大学,2003年获伦斯勒理工学院硕士学位,这两天将拿到伦斯勒理工学院博士学位。 一些基于镓的材料具有某些极其出色的电气特性,远远优于硅,但是要制造出晶体管来比较困难,Huang开发出了一种使用镓氮化物(GaN)混合材料的新晶体管,它具有非常好的物理属性,可以大大降低功耗,改善电子系统的效率,也能够工作在高温、大功率乃至产生辐射的严苛环境下,在各种电子设