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显示/光电技术中的PAM推出内置MOSFET高压30瓦LED驱动器PAM2842

上传者: 2020-11-22 01:15:47上传 PDF文件 43.85KB 热度 7次
PAM(Power Analog Microelectronics)推出内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,采用台积电的双极型CMOS-DMOS(BCD)工艺制成。具有从5.5V 到40V很宽的输入电压范围,它是一个非常灵活的LED驱动器,可以工作于升压、降压、升降压(SEPIC)三种工作方式。它可以利用内置的MOSFET来驱动10个3瓦的LED,或者30个1瓦的LED。由于它在很宽的电压范围内的恒流特性和95%以上的效率,使它不论是在输入电压跌落或很高的环境温度时,都能正常工作。因为利用了台积电的40伏BCD工艺,和PAM公司已申请的专利,它还集成了一个功率MOSFET管。其他的功能还
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