嵌入式系统/ARM技术中的IDT 推出更低功耗的下一代双口RAM

不断扩大的多口RAM系列又添两个新型双口RAM器件。从工业控制到医疗成像和通信,新的 9Mb 和 4Mb 双端口器件可实现高达 200MHz 的性能,以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用 1.8V 内核电压,比现有解决方案的功耗更低。 双端口器件集成了存储器和控制逻辑,可以通过独立端口实现对通用中央存储器的同时存取。该IDT 解决方案有助于客户通过解决芯片间连接问题,增加带宽并降低设计复杂性,同时通过使用经过验证的成熟器件,实现快速上市。 IDT 公司流量控制管理部门市场总监 Carl May 表示:“IDT一直积极寻找改善我们现有产品的方法,为我们的客户提供不断进化的升级,