基础电子中的MBE工艺简介

MBE工艺在外延生长的应用非常广泛,具有以下优点: (1)生长速率低,一般情况下其生长速率为1 μm/h、1个单层/s,理论上可以在原子尺度改变组分与掺杂。 (2)生长温度低,如生长GaAs时的衬底温度约为550~650°C,这样就可以忽略生长层中的相互扩散作用。 (3)可以通过掩模的方法对材料进行三维的控制生长。 (4)由于生长工艺在超高真空中进行,因此可以在生长室中安装各种分析设备,这样就可以在生长的整个前后过程对外延层进行在位测量和分析。 (5)在现代MBE生长系统中,生长过程可以用计算机进行自动化控制。 上述优点使得MBE可以生长出只有几个原子层厚度的