双端口SRAM的写操作

图表示了双端口SRAM写操作的波形,从图形可知,也是同异步SRAM相同的操作。在该示例中,OE仍然无效,先确定R/W信号后,通过CE信号进行写入操作。图中CE0、CE1虽然同时发生变化,但也可以其中一个信号保持有效,另一个信号有效或者无效都行,可以在无效的时序中进行写人操作。 图 双端口SRAM的写周期 首先让CE有效,然后通过R/W进行写入的方法当然也是可以的,在这种情况下,是在R/W的上升沿进行写入操作的。 欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99