基础电子中的VCSEL的总体结构设计

图是垂直腔面发射激光器的结构示意图。其有源区由多量子阱组成,有源区上、下两边分别由多层1/4波长厚的高、低折射率交替的外延材料形成DBR,出射光方向可以是顶部或衬底,这主要取决于衬底材料对所发出的激射光是否透明及上、下DBR究竟哪一个取值更大一些。 图 垂直腔面发射激光器结构示意图 由于垂直腔面发射激光器的这种独特结构,使得研制高性能的VCSEL的关键在于以下几点: (1)由于VCSEL的腔长较短,只有数个等效波长的量级,因而其相邻模式的间距很大,一般为几十纳米。这要求材料的增益谱峰值波长、多层高反膜即DBR的高反射谱中心波长,以及谐振腔的谐振波长三者要完全符合设计长度。