基础电子中的磁心损耗

磁心的损耗Pc有三种,即磁滞损耗Ph、涡流损耗Pc和剩余损耗Pe。磁滞损耗Ph正比于静态磁滞回线包围的面积和磁心的体积,当初级励磁磁通在磁心中穿过时,磁心本身也相当于一个单匝的次级绕组,其感应电压在磁心等效电阻上的损耗即为涡流损耗Pe,剩余损耗是指由于磁性滞后效应(即磁化过程中磁化状态并不是随磁化强度的变化而立即变化到它的最终状态的“时间滞后”现象)所引起的损耗。 磁心损耗与频率、磁感应强度有关。在低频时磁心损耗几乎完全是磁滞损耗。一般 Pe=(5%~10%)Ph 而频率∫=200~300 kHz时,涡流损耗和剩余损耗大于磁滞损耗,磁心损耗的数学模型可以表示为 Pc=γ