基础电子中的单向可控硅参数_单向可控硅管的主要参数

一、单向可控硅参数_额定通态平均电流IT(AV) 在环境温度为+40°C及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时,可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。 二、单向可控硅管的参数_通态平均电压UT(AV) 在规定环境、温度散热条件下,元件通以额定通态平均电流,结温稳定时,阳极和阴极间电压平均值。 三、单向可控硅参数_控制极触发电压UGT 在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。 四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT 在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可