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RFID技术中的高频电感元件的等效电路模型

上传者: 2020-11-17 20:58:38上传 PDF文件 69.18KB 热度 27次
当考虑电感元件寄生电容时,高频电感的等效电路模型可以采用图1来表示。图中Rc,为磁心损耗的等效电阻,C为电感绕组的寄生电容,Rac为代表绕组铜损的交流电阻,由于绕组铜线高频电流的集肤效应(在后面介绍),使Rac>Rdc,Rdc为铜线的直流电阻。Rac/Rdc与频率、铜线直径、温度等因素有关。例如,圆铜线在20°C,fs=100 kHz时,Rac/Rdc=1.7。 为使集肤效应的影响减小,导线的直径应不大于2△,△为渗透深度(Penetraticn depth)(cm)。 △值与温度有关,100°C时铜电阻率ρ=2.3×1o-6Ω·cm,μ。为空气磁导率,f
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