元器件应用中的在修改BiCMOS工艺条件下实现光电集成

在1.3~1.55 gm波长光纤通信窗口,广泛使用的是III-V族InGaAs、InGaAsP探测器。这些III-V族探测器性能优异,工作速率可达20Gb/s乃至达到40Gb/s,有很好的响应度和量子效率。然而,由于工艺结构复杂使得这样的探测器价格昂贵限制了其广泛使用。因此人们把目光投向了廉价可批量生产的硅基探测器,然而硅的禁带宽度为1.12eV对波长大于1.1 gm的波长光不吸收。为了扩展波长响应范围,可以通过往硅中掺锗的方法减小其禁带宽度,从而使吸收波长往长波长方向移动。锗的禁带宽度为0.61 eV,在1.3~1.55 ptm波长范围内有较高的吸收系数。根据Fromherz T[72],s