Nand Flash 的设计

系统中所采用的Nand-Flash芯片是Samsung公司的K9F2808U。该器件存储容量为16M×8位,除此之外还有512K×8位的空闲存储区。该器件采用TSSOP48封装,工作电压为2.7~3.6V。8位I/O端口采用地址、数据和命令复用的方法,这样既可减少引脚数,又可使接口电路简捷。 由于ARM系统没有Nand-Hash控制所需要的CLE、ALE信号,因此需要利用ARM的通用GPIO口。具体的连接电路如图所示。 图 Nand Flash模块 Nand-Flash引脚定义如表所示。 表 Nand-Flash引脚定义 ·命令锁存使能(CLE),使输入