基础电子中的MOS微电子技术简介

MOS场效应晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的简称,它通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力。MOS场效应晶体管不仅具有双极型三极管体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点,而且还具有输入阻抗高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 与双极型三极管不同,MOS晶体管是电压控制元件,参与导电的只有一种载流子,因此称其为单极型器件。MOS晶体管可以分为增强型晶体管与耗尽型晶体管两种。根据沟道掺杂不同,又可分为N沟道增强型晶体管、P沟道增强型晶体管、N沟道耗尽型晶体管和P沟道耗尽型晶体管四种。图1展示了