电源技术中的同步整流管的主要参数/SR的体二极管恢复时间trr

功率MOS管有寄生的二极管,称为体二极管,其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns,希望皿体二极管的trr也和SBD一样,能控制在10 ns左右。 此外,体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正比,一般UF≈1V,远大于功率MOS管本身的正向压降。因此,为了减少寄生二极管产生的附加损耗,在工作过程中应使负载电流尽量避免流过SR的体二极管,即使有电流流过,也要尽量减少在体二极管中的流通时间,如果体二极管能保持在阻断状态,SR可以很快由导通状态转换到关断状态。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源