显示/光电技术中的半导体中的光吸收

半导体中的光吸收主要包括本征吸收、激子吸收、晶格振动吸收、杂质吸收及自由载流子吸收[1]。当入射光能量大于半导体材料禁带宽度时,价带中电子便会被入射光激发,越过禁带跃迁至导带而在价带中留下空穴形成电子-空穴对。这种由于电子在价带和导带的跃迁所形成的吸收过程称为本征吸收。大量实验证明这种价带电子跃迁的本征吸收是半导体中最重要的吸收,也是光电探测器工作的理论基础。 爱因斯坦和普朗克的理论使人们认识到光不仅具有波动性也具有粒子性,即波粒二象性。光由光子组成,一束光就是—系列的光子流。光子的引入很好地描述了紫外和红外波段的电磁辐射特性。媒质中光子的速度为 式中,co是光在真空中速度,n