元器件应用中的MOS 集成电路防静电预防方法

以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性,MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电路相比,MOSIC具有以下优点:1制造结构简单,隔离方便。2电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。3MOS管为双向器件,设计灵活性高。4具有动态工作独特的能力。5温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高,宜用作数字集成电路;双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。 所有 MOS 集成电路 (包括 P 沟道 MOS, N 沟道 MOS, 互补 MOS -