基础电子中的ESD静电防护技术

1.一般静电防护的基本思路 (1)从元器件设计方面,把静电保护设计到LED器件内,例如大功率LED,设计者在承载GaN基LED芯片倒装的硅片上,设计静电保护二极管,这时硅片不但作为GaN的承载基体,还起到ESD保护作用,使采用这种芯片封装的器件ESDS达到几千伏。它的优点是直接提高器件抗ESD能力,简化封装生产和器件安装等过程的静电防护措施;缺点是增加成本,增大体积,芯片生产工艺复杂并且需要专业生产设各,它适用于高价值的LED器件。 (2)从生产工艺方面,有两种静电防护途径;1消除产生静电的材料与过程。通过材料的选用,使静电产生的途径不存在了或者减少了,从源头消除了静电放电的产生与