富士通针对PA开发CMOS逻辑高压电芯片

富士通微电子(Fujitsu Microelectronics)发表CMOS逻辑高电压电晶体的最新开发进展,此款电晶体具备高击穿电压的特性,适合支持无线装置所使用的功率放大器(PA)。 富士通所开发的这款45纳米CMOS电晶体,能支援10V功率输出,让电晶体能因应各种高输出规格,满足WiMAX与其他高频应用*率放大器的规格需求。此外,该新技术并实现了在同一晶粒(die)中藉由CMOS逻辑控制电路,达到单芯片整合的目标,可进而开发出高效能、低成本的功率放大器。 富士通开发的新电晶体结构具有多项关键特性。电晶体的汲极周围有一个「轻微掺杂汲极」(lightly doped drain;L