电源技术中的飞兆半导体升压开关为高频步进DC DC设计实现高效率

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管,具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC),以提升DC-DC升压设计的效率。FDFME3N311ZT 采用飞兆半导体专有的PowerTrench工艺技术,通过仔细优化动态性能来降低开关损耗。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小,可以防止转换器效率随封装温度升高而降低。该器件在紧凑 (1.6mm x 1.6mm)