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电源技术中的TI高电流DC/DC应用的功率MOSFET显著降低上表面热阻

上传者: 2020-11-10 18:01:12上传 PDF文件 48.77KB 热度 17次
日前,德州仪器 (TI) 宣布面向高电流DC/DC应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品,DualCool NexFET 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸,同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%,并改进散热管理。 该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器,同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 MOSFET 可广泛用于各种终端应用,其中包括台式个人计算机、服务器、电信或网络设备、基站以及高电流工业系统等。 DualCool NexFET 功
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