电源技术中的一种低功耗高PSRR的基准电压源设计

一般基于自偏置的基准电路,由于MOS管工作在饱和区,其工作电流一般在微安级,虽然可以适用于大部分消费类电子芯片的应用,但对于一些特殊应用,如充电电池保护芯片,则无法达到其设计要求。于是降低基准电路的电流则成为芯片低功耗设计的关键。为了减小电路的静态电流,这里的基准与偏置电路采用增强管与耗尽管相结合的方式。对于增强型MOS管,阈值电压随温度的升高而下降;对于耗尽型MOS管,阈值电压为负,其阈值电压的温度系数与增强型相反。利用增强型MOS管阈值电压的负温度系数和耗尽管阈值电压的正温度系数产生一个精度很高的基准电压。 1 基准电压源的结构与工作原理 图1为基准电压源的等效结构图。其中,M