电子测量中的低压低功耗混频器的设计

摘要:本文对常见的混频器结构进行了调整,提出了一种新的混频器结构——低压低功耗混频器,分别降低了跨导级、本振级与输出负载正常工作时所消耗的直流电压降,从而达到降低电源电压的目的。采用1.5V TSMC 0.35 μm CMOS工艺进行仿真,该混频器仿真结果表明,电路转换增益为-10.5 dB,噪声系数为20.648 dBm,1 dB压缩点为-5.764dBm,三阶输入交调点为4.807 dBm。 自20世纪60年代以来,集成电路的发展一直遵循1965年Intel公司的创始人之一Gordon E.Moore预言的集成电路产业发展规律:即集成电路的集成度每3年增长4倍,特征尺寸每3 年缩小2