基础电子中的高频率、高效率氮化镓功率器件

许多新兴应用对具备更高转换效率的大功率MOSFET提出了迫切需求。目前,硅功率器件主要通过封装和改善结构来优化性能提升效率,不过随着工艺技术的发展这个改善的空间已经不大了,因此对新型半导体材料的研发一直是硅功率器件半导体厂商追求突破的重要环节。为此,国际整流器公司(IR)推出了首个商用氮化镓(GaN)功率器件产品系列,预示着一个高频率、高密度、高效电源转换解决方案的全新时代。全新的iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点(POL)应用而设计,包括服务器、路由器、交换机以及通用POL DC/DC转换器。 “iP2010和iP2011系列器件将PowerRtune驱动IC和氮化镓功