传感技术中的基于一种新型CMOS图像传感器原理及设计

金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件,CMOS则应用于较低影像品质的产品中。 由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点,所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反,CMOS图像传感器过去存在着像素大,信噪比小,分辨率低这些缺点,一直无法和CCD技术抗衡。但是随着大规模集成电路技术的不断发展,过去CMOS图像传感器制造工艺中不易解决的技术难关