基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双掷开关

0 引言 PIN二极管广泛应用于限幅器、开关、衰减器、移相器等控制电路中。与MESFET和PHEMT器件相比较,PIN二极管具有插入损耗低、截止频率高、功率容量大的特点,特别适合于制作性能优异的宽带大功率控制电路。文献[1]就是采用GaAs PIN二极管制作了一款宽带大功率单刀双掷开关,但由于是混合集成电路形式,导致开关模块体积较大。 本文采用河北半导体研究所GaAs PIN工艺成功开发出一款宽带大功率单片单刀双掷开关。该单片开关集成了GaAs PIN二极管、电容、电感和电阻元件。在6~18 GHz范围内插入损耗(IL)小于1.45 dB,隔离度大于28 dB;在连续波输入功率37