元器件应用中的二极管+IGBT:新架构能带来什么新应用?

由于现在经济的快速发展,能源的消耗也是急剧增加,我们如何去减少能源的损耗做到节能减排?这就要求我们的产品有一个更高的效率,更低的成本。而对于一个高性能的系统来说,半导体器件的选择尤为重要。今天我给大家介绍的就是英飞凌一个新的逆向导通型IGBT。我们知道传统的IGBT,二极管和IGBT是分开的两个晶圆,而这一款新的逆向导通型IGBT是将二极管和IGBT集成在同一个晶圆上面,它们有相同的电流等级。新的逆向导通型IGBT引用了哪些技术呢?首先的话,它引入了场终止技术,也就是它大大的减小了晶圆的厚度,使它有一个非常低的饱和导通压降,从而提高了整体的效率。第二点是引入了一个沟道栅技术,进一步减少了饱和导