模拟技术中的影响CMOS单电源放大器的THD+N性能的因素

自上市以来,CMOS单电源放大器就让全球的单电源系统设计人员受益非浅。影响双电源放大器总谐波失真加噪声(THD+N)特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的THD+N性能源于放大器的输入和输出级。然而,输入级对THD+N的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化。 有两种单电源放大器拓扑可以接受电源之间的输入信号。图1a所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中,放大器的输入位于负轨附近时,PMOS晶体管为“开”,而NMOS晶体管为“关”。当放大器的输入更接近于正电压轨时,NMOS晶体管为“开”,而PMOS晶体管为“关”。 图1: 互补输入级、单电源放大器:a);带