模拟技术中的瑞萨电子高压MOS在进行产品开发时的注意要点

本文主要介绍瑞萨电子(又称:Renesas注1)高压MOS在客户电源等产品开发时的选型以及特性的说明,为客户的产品开发提供参考性的设计意见。 MOSFET以其电压控制、开关频率高、开关速度快等优点,广泛应用于电源等产品中。Renesas高压MOS涵盖漏源电压(VDSS)等级600V、800V、900V、1400V,具有极低的RDS(ON)和丰富的封装系列,应用十分广泛。 MOSFET最重要的两个参数是漏源电压(VDSS)和导通电阻RDS(ON)。电流值和最大耗散功率值必须仔细观察,因为它们只有当背板温度到25OC时才能达到,切换时间仅在满足数据说明书中所描述的特定条件下才适用。