模拟技术中的MOSFET驱动器介绍及功耗计算

我们先来看看MOS关模型: Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是 耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。 Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。 这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。 由于Cgd同时在输入和输出,因此等效值由于 Vds电压要比原来大很多,这个称为米勒效应。 由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的,我们在实际应用的时候需