电源技术中的准谐振反激的原理、应用及参数计算

如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰将会最小化。这情况常被称为谷值开关 (Valley Switching) 或准谐振开关。这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准谐振反激的原理、应用及参数计算方面的知识。 准谐振 QR Q(Quasi) R( resonant) 主要是降低mosfet的开关损耗,而mos的开关损耗主要是来源于自身的输出电容。 从上图中,大家可以讨论一下,一般的开关损耗来自