显示/光电技术中的浅析两种可提高LED光效的芯片发光层结构设计

LDE的芯片结构设计是一项非常复杂的系统工程,其内容涉及以提高注入效率和光效为目的电致发光结构设计、以提高学出光效率为目的的光引出结构设计和与光效密相关的电极设计等。 随着MOCVD外延生长技术和多量子阱结构的发展,人们在精确控制外延、掺杂浓度和减少位错等方面都取得了突破,处延片的内量子效率已有很大提高。像波长为625nm的A1InGap基LED,内量子效率已接近极限,可达100%.A1InGap基LED的内量子效率虽远比A1InGap基LED的低,但也达40%~50%。 大家知道,LED的外量子效率取决于外延材料的内量子效率和芯片的出光效率,提高LED发光效率的关健是提高芯片的外