相变存储器的高可靠性多值存储设计

基于相变存储器(PCM) 已有的2T2R 结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R 结构下PCM 的多值存储。它在相变电阻具有4 态可编写的能力下,可以实现单元内8 态存储,同时对小尺寸验证,而对PCM 存储电路的优化将使得PCM 更具竞争力。同样基于这种以比值为导向的状态定义,一种软硬件相结合的新型纠错码方法使得对全部数据位的错误监测成为可能。