存储/缓存技术中的在异步SRAM中实现速度与功耗的完美平衡

异步SRAM产品分为快速与低功耗两个极为不同的产品类型,每个系列都具有其自己的一系列特性、应用和价格。快速异步SRAM具有更快的存取速度,但功耗较高;低功耗SRAM功耗低,但存取速度慢。 从技术角度看,需要进行这样的利弊权衡:在低功耗SRAM中,使用特殊栅极诱导漏极泄漏(GIDL)控制技术来控制待机电流,以控制待机功耗。这些技术涉及在上拉路径或下拉路径中增加额外的晶体管,这样存取延迟就会加剧,从而会增加存取时间。在高速SRAM中,存取时间具有最高优先级,因此无法使用这种技术。此外,该晶体管也可增大尺寸,以增加电荷流。尺寸的增大可减少传播延迟,但同时会增加功耗。 从应用需求角