嵌入式系统/ARM技术中的浅谈单片机系统与掉电保护电路的可靠性提高方案

1 问题的提出 在以单片机为核心的智能仪表及过程控制系统中常常需要长时间保存实时参数。通常可采用E2PROM、FLASH MEMORY以及以随机存贮器为基础内置电池的非易失芯片来实现。E2PROM、 FLASHMEMORY属于可在线修改的ROM器件,它解决了应用系统中实时参数掉电保存的难题,但这类芯片写入速度慢(ms级),擦写次数有限(万次级),有些器件擦写次数虽达百万次,对某些应用系统而言,其写入次数仍然是有限的。因此这类芯片只能用在需要保护的数据量小且写入不频繁的系统中。对那些需要大容量高速反复存取实时参数的系统,只能用随机存贮器RAM加掉电保护电路实现。实现上述原理的掉电保护方法很多