高压LED基本结构及关键技术介绍

对于高功率LED的设计,目前各大厂多以大尺寸单颗低压DC LED为主,做法有二,一为传统水平结构,另一则为垂直导电结构。就第一种做法而言,其製程和一般小尺寸晶粒几乎相同,换句话说,两者的剖面结构是一样的,但有别于小尺寸晶粒,高功率LED常常需要操作在大电流之下,一点点不平衡的P、N电极设计,都会导致严重的电流丛聚效应(Current crowding),其结果除了使得LED晶片达不到设计所需的亮度外,也会损害晶片的可靠度(Reliability)。