电源技术中的分析功率MOS管RDS负温度系数对负载开关设计的影响

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 功率MOS管的导通电阻具有正温度系数,能够自动均流,因此可以并联工作。从MOSFET数据表的传输特性可以看到,25°C和175°C的VGS电压与ID电流值有一个交点,此交点的VGS为转折电压。在VGS转折电压以下的部分,RDS(ON)为负温度系数;而在VGS