尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响 上传者：han4876 2020-10-28 05:38:01上传 PDF文件 269.11KB 热度 17次 低压TMOS的导通电阻主要是由沟道电阻和外延层电阻所组成,为了降低导通电阻,同时不降低器件其他性能,如漏源击穿电压,最直接的办法是减少相邻元胞的间距,在相同的面积下,增加元胞的集成度。基于此,本文借助了沟槽式接触概念以及突起式多晶硅结构来克服由尺寸缩小引发的沟道穿通效应。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 han4876 资源：432 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
