基于gm/ID的CMOS模拟集成电路设计方法及应用 上传者:Felix_liang 2020-10-28 05:27:47上传 PDF文件 471.22KB 热度 15次 介绍一种基于gm/ID参数特性的模拟电路优化设计方法,并以CMOS两级运算放大器的设计为例具体阐述该方法的基本设计步骤和与传统设计方法相比的优势。该方法以晶体管的跨导和漏电流的比值gm/ID与反型系数IC的特性曲线作为设计参量来对电路进行设计。基于gm/ID的设计方法对晶体管工作在所有的工作区域均有效。实验仿真结果很好地验证了gm/ID设计方法的有效性。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 Felix_liang 资源:426 粉丝:0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台,下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容!联系邮箱:server@dude6.com